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韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略



商品網址: http://www.books.com.tw/exep/assp.php/bookmoney/products/0010378394

商品訊息功能:

商品訊息描述:

次世代非揮發性記憶體具備比現有Flash的非揮發性、SRAM的高速運算、DRAM的高集積性等性能更強,且耗電更低的產品特性,因此,被視為取代現有各種記憶體的理想技術。

2004年8月啟動次世代非揮發性記憶體元件開發事業,計畫以8年的時間,由政府投投資賺錢生財入350億圜的研究經費,目標是開發出0.1Tera Bit級以上的、NFGM、PoRAM、ReRAM等次世代非揮發性記憶體元件技術,以確保其在元件、製程、設計方面的技術,進一步佔有40?上的全球記憶體市場。

此外,韓國半導體業者在次世代記憶體方面亦投注相當大的心力,三星電子目前已開發出64Mb FeRAM及512Mb PRAM試製品,並計畫於2007年與2008年分別完成1Gb PRAM、2Gb PRAM的開發。Hynix則已開發出32Mb FeRAM,並計劃在2007年完成RFID用FReAM的開發。有鑑於此,本書乃針對韓國政府及企業在次世代記憶體的推動現況進行探討,希望藉此掌握其政策方向及技術發展趨勢,以供我國政府及業者之參考。

商品訊息簡述:

  • 作者: 拓墣產業研究所
  • 出版社:拓墣科技
  • 出版日期:2007/05/31
  • 語言:繁體中文


韓國次世代非揮性記憶體發展現況及策略

商品網址: http://www.books.com.tw/exep/assp.php/bookmoney/products/0010378394











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